Модули памяти QNAP _{18 товаров}

...

Оперативная память 8 ГБ Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения) -Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения) -на всю серию N**** -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M Так же подходит для моноблоков, iMac, macbook) -если остались вопросы задайте, отвечу быстро укажите мне свой процессор, или маркировку ноутбука.

количество мест под HDD: 4
Ethernet 2x1000 Мбит/с
процессор ARM
ОЗУ 1 ГБ
DLNA-сервер

Количество слотов для накопителей: 2
Процессор: ARM
Объем оперативной памяти: 1 ГБ
Интерфейсы подключения накопителей: SATA 6Gb/s
Порты Ethernet: 2x1000 Мбит/с
Функции и особенности: DLNA-сервер, FTP-сервер, кнопка резервного копирования, поддержка ip-видеонаблюдения, поддержка iSCSI, принт-сервер

Тип: DDR4
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тактовая частота: 3000 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
CL: 16
Особенности: радиатор

Тип: DDR4
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тактовая частота: 3200 МГц
Форм-фактор: DIMM
CL: 16

...

...

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73DB0-YK0 M471B1G73EB0-YK0 M471B1G73QH0-YK0 M471B1G73BH0-YK0

Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость работы - оперативная память обеспечивает быструю передачу данных, что позволяет ускорить работу системы в целом.

DDR3 8Gb 1333 Mhz So-Dimm 2Rx8 Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 M471B1G73BH0-CH9 Производитель : Samsung Тип : DDR3 Форм-фактор : So-Dimm Объём : 8 Gb Частота : 1333 Mhz Парт-номер : M471B1G73BH0-CH9 Пропускная способность : 10600 Мб/с Тайминги : 9-9-9 Энергопотребление : 1.5 В

...

Модуль памяти 08Gb Samsung [M471A1K43EB1-CWE] DDR4. 8 ГБx1 шт. 3200 МГц. PC25600. тайминги: 22

Модель HKED3082BAA2A0ZA1/8G Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Латентность CL11 Бренд HIKVISION PartNumber/Артикул Производителя HKED3082BAA2A0ZA1/8G Вес упаковки (ед) 0.036 Тип памяти DDR3L Объем 8192 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 842571135015 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73BH0-CH9 M471B1G73CB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - работать не будет, по скольку слот выдает только 1.35v. По процессорам Intel подойдет на 3-е поколение (Ivy Brigde), 2-е поколение (Sandy Bridge). Совместимость проверяйте на сайте производителя Вашего устройства или задавайте вопрос.

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR3 Тактовая частота, МГц 1600 Количество модулей в комплекте 1 Заводские данные Пропускная способность, Мб/с 12800 CAS Latency (CL)

...