Модель R748G2133U2S-UO Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-17000 Скорость (тест) 2133МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 15-15-15-35 Латентность CL15 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2133U2S-UO Вес упаковки (ед) 0.02 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2133 Количество в упаковке 1 Тип поставки OEM Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182491 .
оперативная память ddr4 8 гб 25 товаров
Стандарт: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Низкопрофильная: Нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C Расширенная операционная температура (Tcase): 95 °C Радиатор: Да Габариты: 133.4 мм XMP совместимая память: Нет Наличие подсветки: Нет RAS to CAS Delay (tRCD)
Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 04897065182514 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R748G2400U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Вес (грамм) 20 Высота (мм) 31 высота(см) 1 Габариты (мм) 133.35 x 35 мм гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация нет Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка Performance масса(кг) 0.06 Модель R748G2400U2S-UO Напряжение (В)
Оперативная память Netac Basic соответствует стандарту DDR4. Она выпущена в форм-факторе DIMM и подходит для установки в офисные и домашние компьютеры. Высокая пропускная способность, благодаря которой растет скорость передачи данных, и устройство эффективнее справляется с поставленными перед ним задачами. Позолоченные коннекторы надежно защищены от коррозии, что увеличивает срок эксплуатации модуля.
ХарактеристикиПроизводительNetacЛинейкаНетМодельNTBSD4P32SP-08Тип оборудованияПамятьЧастота (MHz)DDR4 - 3200Тип модуляDIMMОбъем одного модуля (ГБ)8Количество модулей в комплекте (шт)1Общий объем памяти (ГБ)8Пропускная способность (МБ/с)25600Поддержка ECCНетПоддержка RegНетНизкопрофильнаяНетКоличество чипов на модуле8Количество контактов288CAS Latency (CL)16Тайминги16РадиаторНетПоддержка водяного охлажденияНетЦвет ЧерныйПодсветкаНетНапряжение (В)1.35Нормальная операционная температура (Tcase)
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/210623/3165969 GTIN 00649528903549 Cтрана-производитель Малайзия Партномер CT8G4DFRA32A RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 5 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 17 Дополнительная информация нет Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 8 Компоновка чипов на модуле Односторонняя Линейка - масса(кг)
Гарантия: 24 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 3200 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество ранков: 1 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP)
Артикул № 720768 Модули памяти HyperX® FURY DDR4 автоматически разгоняются до максимальной заявленной частоты* и обеспечивают повышение производительности для компьютерных игр, редактирования видео и рендеринга. Совместимы с новейшими процессорами Intel и большинством новейших процессоров AMD. Не нагреваются за счет использования стильного низкопрофильного теплоотвода.
Оперативная память Crucial [CT8G4DFRA266] [CT8G4DFRA266] имеет емкость 8 ГБ и представляет собой производительное решение для использования в игровых и рабочих системах начального и среднего класса. Данная модель соответствует стандарту DDR4, благодаря чему тактовая частота модуля может составлять 2666 МГц, что вкупе с пропускной способностью 21300 МБ/с и минимальными показателями таймингов обеспечивает высокое быстродействие компьютера при обработке фото и видео высокого разрешения, при работе с большими
Оперативная память 8 Gb 2133 MHz AMD SODIMM R7 PERFOMANCE SERIES Black (R748G2133S2S-U) Серия продукции: Radeon R7 Performance Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 2133 Пропускная способность, Мб/с: 17000 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 8 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD)
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
Память оперативная DDR4 8Gb AMD 3200MHz CL16 (R948G3206U2S-U)
Модель KF432C16BB/8 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (SPD) 2400МГц Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (SPD) 1.2В Напряжение (тест) 1.35В Задержка (SPD) 17-17-17 Задержка (тест) 16-18-18 Латентность CL16 Режим работы двухканальный Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KF432C16BB/8 Количество рангов (Ranks) single rank Количество чипов 8 Для геймеров ДА Вес упаковки (ед)
Модуль оперативной памяти 8ГБ DDR4 SDRAM Patriot "PSD48G240081" (PC19200, 2400МГц, CL17) (ret)
Модель M378A1K43CB2-CTD Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43CB2-CTD Количество рангов (Ranks) dual rank Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки OEM Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .
Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.
Напряжение питания (В): 1.2 В Стандарт: DDR4 Форм-фактор: SODIMM Вид поставки: Bulk Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 2133 МГц Пропускная способность: 17000 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Низкопрофильная: Нет Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 15 Нормальная операционная температура (Tcase): 75 °C Расширенная операционная температура (Tcase): 85 °C Радиатор: Нет RAS to CAS Delay (tRCD)
Цены на оперативную память ddr4 8 гб
Представляем Вам широкий выбор оперативной памяти ddr4 8 гб по цене от 933 руб. до 3350 руб.
Самые лучшие предложения цен и скидок с описаниями.