Оперативная память Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CM0-CH9) _{12 товаров}

Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP)

...

...

...

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Gb 2Rx8 PC3-8500S-07-10-F2 p/n: M471B5273BH1-CF8

Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость работы - оперативная память обеспечивает быструю передачу данных, что позволяет ускорить работу системы в целом.

...

...

...

...